Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated ZTX857QSTZ — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated ZTX857QSTZ

PWR ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНСЗИСТОР EP3 AM

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated ZTX857QSTZ
  • Упаковка: Лента и коробка (ТБ)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5757
  • Артикул: ZTX857QSTZ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5862

Дополнительная цена:$0,5862

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и коробка (ТБ)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 300 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 600 мА, 3 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 500 мА, 10 В
Мощность - Макс. 1,2 Вт
Частота – переход 80 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи E-Line-3, сформированные лиды
Поставщик пакета оборудования E-Line (совместим с ТО-92)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 31-ZTX857QSTZTB
Стандартный пакет 4000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 300 В, 3 А, 80 МГц, 1,2 Вт, сквозное отверстие E-Line (совместим с TO-92)