Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated ZTX614QSTZ — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated ZTX614QSTZ

PWR MID PERF ТРАНСЗИСТОР EP3 боеприпасы

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated ZTX614QSTZ
  • Упаковка: Лента и коробка (ТБ)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9486
  • Артикул: ZTX614QSTZ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2685

Дополнительная цена:$0,2685

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и коробка (ТБ)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 800 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,25 В @ 8 мА, 800 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 10000 при 500 мА, 5 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи E-Line-3, сформированные лиды
Поставщик пакета оборудования E-Line (совместим с ТО-92)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ZTX614QSTZTB
Стандартный пакет 2000 г.
Биполярный (BJT) транзистор NPN — Дарлингтон, 100 В, 800 мА, 1 Вт, сквозное отверстие E-Line (совместим с TO-92)