Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated ZTX601QSTZ — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated ZTX601QSTZ

PWR MID PERF ТРАНСЗИСТОР EP3 боеприпасы

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated ZTX601QSTZ
  • Упаковка: Лента и коробка (ТБ)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7986
  • Артикул: ZTX601QSTZ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3902

Дополнительная цена:$0,3902

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и коробка (ТБ)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,2 В при 10 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 10 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 2000 @ 500 мА, 10 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход 250 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи E-Line-3, сформированные лиды
Поставщик пакета оборудования E-Line (совместим с ТО-92)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 31-ZTX601QSTZTB
Стандартный пакет 4000
Биполярный (BJT) транзистор NPN — Дарлингтон, 160 В, 1 А, 250 МГц, 1 Вт, сквозное отверстие E-Line (совместим с TO-92)