Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated ZTX550QSTZ — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated ZTX550QSTZ

PWR MID PERF ТРАНСЗИСТОР EP3 боеприпасы

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated ZTX550QSTZ
  • Упаковка: Лента и коробка (ТБ)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9059
  • Артикул: ZTX550QSTZ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и коробка (ТБ)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 45 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 15 мА, 150 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 150 мА, 10 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход 150 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи E-Line-3, сформированные лиды
Поставщик пакета оборудования E-Line (совместим с ТО-92)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 31-ZTX550QSTZTB
Стандартный пакет 2000 г.
Биполярный (BJT) транзистор PNP 45 В 1 А 150 МГц 1 Вт сквозное отверстие E-Line (совместим с TO-92)