Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated MMBTA28-13-F — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед MMBTA28-13-F

ТРАНС НПН ДАРЛ 80В 0,5А СОТ23-3

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед MMBTA28-13-F
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2564
  • Артикул: ММБТА28-13-Ф
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Другие имена 31-ММБТА28-13-Ф
Стандартный пакет 1
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 10000 при 100 мА, 5 В
Мощность - Макс. 310 мВт
Частота – переход 125 МГц
Биполярный (BJT) транзистор NPN-Дарлингтон 80 В 500 мА 125 МГц 310 мВт для поверхностного монтажа SOT-23-3