Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated MMBT5551Q-7 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед MMBT5551Q-7

SS ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНСИСТОР SOT23 T

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед MMBT5551Q-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6261
  • Артикул: ММБТ5551Q-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3400

Дополнительная цена:$0,3400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 10 мА, 5 В
Мощность - Макс. 300 мВт
Частота – переход 300 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 160 В 600 мА 300 МГц 300 мВт Для поверхностного монтажа SOT-23-3