Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated FZT855QTA — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated FZT855QTA

PWR ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНСЗИСТОР SOT223

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated FZT855QTA
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1
  • Артикул: FZT855QTA
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8900

Дополнительная цена:$0,8900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 5 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 150 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 355 мВ при 500 мА, 5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 1А, 5В
Мощность - Макс. 1,6 Вт
Частота – переход 90 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-261-4, ТО-261АА
Поставщик пакета оборудования СОТ-223
Базовый номер продукта ФЗТ855
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 150 В 5 А 90 МГц 1,6 Вт для поверхностного монтажа SOT-223