Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DXTN5860DFDB-7 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DXTN5860DFDB-7

ТРАНЗИСТОР SS LOW SAT U-DFN2020-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DXTN5860DFDB-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4769
  • Артикул: DXTN5860DFDB-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5300

Дополнительная цена:$0,5300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 6 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 315 мВ при 300 мА, 6 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 280 при 500 мА, 2 В
Мощность - Макс. 690 мВт
Частота – переход 115 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-УДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования U-DFN2020-3 (Тип Б)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 60 В 6 А 115 МГц 690 мВт для поверхностного монтажа U-DFN2020-3 (Тип Б)