Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DXTN10060DFJBWQ-7 - Diodes Incorporated Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DXTN10060DFJBWQ-7

ТРАНС НПН 60В 4А 3ДФН

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DXTN10060DFJBWQ-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 445
  • Артикул: DXTN10060DFJBWQ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4400

Дополнительная цена:$0,4400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 320 мВ при 200 мА, 4 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 340 при 200 мА, 2 В
Мощность - Макс. 1,8 Вт
Частота – переход 125 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-УДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования W-DFN2020-3 (тип А)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 60 В 4 А 125 МГц 1,8 Вт для поверхностного монтажа W-DFN2020-3 (Тип A)