Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DXTN06080BFG-7 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DXTN06080BFG-7

PWR MID PERF ТРАНЗИСТОР POWERDI3

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DXTN06080BFG-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2589
  • Артикул: DXTN06080BFG-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4000

Дополнительная цена:$0,4000

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 2000 г.
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 50 мА, 800 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 20нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 150 мА, 2 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход 130 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В, 1 А, 130 МГц, 1 Вт, для поверхностного монтажа, смачиваемая задняя часть PowerDI3333-8 (SWP), тип UX