Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DXT5616U — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DXT5616U

ТРАНС НПН 80В 1А ТО126

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DXT5616U
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7338
  • Артикул: DXT5616U
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 150 мА, 2 В
Мощность - Макс. 1,3 Вт
Частота – переход 150 МГц
Рабочая температура -65°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-225АА, ТО-126-3
Поставщик пакета оборудования ТО-126
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 31-DXT5616U
Стандартный пакет 65
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 1 А 150 МГц 1,3 Вт Сквозное отверстие ТО-126