Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMTH6002LPSWQ-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DMTH6002LPSWQ-13

МОП-транзистор BVDSS: 41–60 В POWERDI506

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMTH6002LPSWQ-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8821
  • Артикул: DMTH6002LPSWQ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0319

Дополнительная цена:$1,0319

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 205А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 131 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8289 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Та), 167 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (SWP)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMTH6002LPSWQ-13TR
Стандартный пакет 2500
N-канал 60 В 205 А (Tc) 3 Вт (Ta), 167 Вт (Tc) PowerDI5060-8 для поверхностного монтажа (SWP)