Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMTH4M70SPGW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMTH4M70SPGW-13

МОП-транзистор BVDSS: 31–40 В POWERDI808

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMTH4M70SPGW-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6235
  • Артикул: ДМТХ4М70СПГВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6758

Дополнительная цена:$1,6758

Подробности

Теги

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.) 5,6 Вт (Та), 428 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerDI8080-5
Пакет/ключи СОТ-1235
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТХ4М70СПГВ-13ТР
Стандартный пакет 2000 г.
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 460А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 0,7 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 117,1 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10053 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
N-канал 40 В 460 А (Tc) 5,6 Вт (Ta), 428 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PowerDI8080-5