Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMTH48M3SFVW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMTH48M3SFVW-13

МОП-транзистор BVDSS: 31–40 В POWERDI333

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMTH48M3SFVW-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1651 г.
  • Артикул: ДМТХ48М3СФВВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2217

Дополнительная цена:$0,2217

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14,6 А (Та), 52,4 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,9 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12,1 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 897 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,82 (Та), 36,6 Вт (Тс Вт)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТХ48М3СФВВ-13ТР
Стандартный пакет 3000
N-канал 40 В 14,6 А (Ta), 52,4 А (Tc) 2,82 Вт (Ta), 36,6 Вт (Tc) Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX