Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMTH10H4M5LPSW - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMTH10H4M5LPSW

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI50

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMTH10H4M5LPSW
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 8943
  • Артикул: ДМТХ10Х4М5ЛПСВ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Та), 107А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,9 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4843 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 4,7 Вт (Та), 136 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип UX)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ДМТХ10
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 100 В 20 А (Ta), 107 А (Tc) 4,7 Вт (Ta), 136 Вт (Tc) Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность PowerDI5060-8 (Тип UX)