Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMTH10H032LPSWQ-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMTH10H032LPSWQ-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI50

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMTH10H032LPSWQ-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2
  • Артикул: DMTH10H032LPSWQ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6600

Дополнительная цена:$0,6600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 32 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,9 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,4 Вт (Та), 68 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип UX)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ДМТХ10
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 100 В, 33 А (Tc) 3,4 Вт (Ta), 68 Вт (Tc) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность PowerDI5060-8 (тип UX)