Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMTH10H032LFVW-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMTH10H032LFVW-7

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В PowerDI33

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMTH10H032LFVW-7
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6118
  • Артикул: ДМТХ10Х032ЛФВВ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2264

Дополнительная цена:$0,2264

Подробности

Теги

Параметры
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMTH10H032LFVW-7
Стандартный пакет 2000 г.
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 30 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,9 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,7 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ДМТХ10
ECCN EAR99
N-канал 100 В 26 А (Tc) 1,7 Вт (Ta) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX