Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMTH10H009LFG-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMTH10H009LFG-7

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI33

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMTH10H009LFG-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8250
  • Артикул: ДМТХ10Х009ЛФГ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5495

Дополнительная цена:$0,5495

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14А (Та), 55А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 41 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2361 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,5 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрДИ3333-8
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ДМТХ10
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТХ10Х009ЛФГ-7ТР
Стандартный пакет 2000 г.
N-канал 100 В 14 А (Ta), 55 А (Tc) 2,5 Вт (Ta) для поверхностного монтажа POWERDI3333-8