Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMTH10H003SPSW-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI50

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMTH10H003SPSW-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5839
  • Артикул: ДМТХ10Х003СПСВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0399

Дополнительная цена:$1,0399

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 166А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 85 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5542 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,6 Вт (Та), 167 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип Q)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ДМТХ10
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТХ10Х003СПСВ-13ТР
Стандартный пакет 2500
N-канальный 100 В 166 А (Tc) 2,6 Вт (Ta), 167 Вт (Tc) PowerDI5060-8 для внешнего монтажа (тип Q)