Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT8008SCT - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMT8008SCT

МОП-транзистор BVDSS: 61 В~100 В TO220AB T

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMT8008SCT
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5090
  • Артикул: DMT8008SCT
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,1132

Дополнительная цена:$1,1132

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 111А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,5 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 34 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1950 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,4 Вт (Та), 167 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220-3
Пакет/ключи ТО-220-3
Базовый номер продукта ДМТ8008
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMT8008SCT
Стандартный пакет 50
Н-канал 80 В 111 А (Тс) 2,4 Вт (Та), 167 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220-3