Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT8008LFG-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DMT8008LFG-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI33

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMT8008LFG-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2333
  • Артикул: DMT8008LFG-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5820

Дополнительная цена:$0,5820

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16А (Та), 48А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,9 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37,7 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2254 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1 Вт (Та), 23,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПИТАНИЕ3333-8
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ДМТ30
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMT8008LFG-13TR
Стандартный пакет 3000
N-канал 80 В 16 А (Ta), 48 А (Tc) 1 Вт (Ta), 23,5 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа POWERDI3333-8