Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT8007LPSW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DMT8007LPSW-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI50

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMT8007LPSW-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2
  • Артикул: DMT8007LPSW-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.0300

Дополнительная цена:$1.0300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,5 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,8 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45,3 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2682 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,5 Вт (Та), 104 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип UX)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ДМТ8007
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 80 В 100 А (Tc) 1,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность PowerDI5060-8 (тип UX)