Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT6015LFVW-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DMT6015LFVW-7

МОП-транзистор BVDSS: 41–60 В POWERDI333

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMT6015LFVW-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3601
  • Артикул: DMT6015LFVW-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1959

Дополнительная цена:$0,1959

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10А (Та), 31,8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 16 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15,7 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 808 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,8 Вт (Та), 28,4 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMT6015LFVW-7TR
Стандартный пакет 2000 г.
N-канал 60 В 10 А (Ta), 31,8 А (Tc) 2,8 Вт (Ta), 28,4 Вт (Tc) Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX