Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT35M8LDG-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед ДМТ35М8ЛДГ-13

МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В POWERDI333

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед ДМТ35М8ЛДГ-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6328
  • Артикул: ДМТ35М8ЛДГ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4116

Дополнительная цена:$0,4116

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канальных (двойных) асимметричных
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17А (Та), 15,3А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,7 мОм при 20 А, 10 В, 5,8 мОм при 18 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,9 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22,7 нк при 10 В, 16,3 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1510пФ при 15В, 1032пФ при 15В
Мощность - Макс. 980 мВт (Та), 2 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (тип G)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-ДМТ35М8ЛДГ-13ТР
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В 17 А (Ta), 15,3 А (Ta) 980 мВт (Ta), 2 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerDI3333-8 (Тип G)