Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT35M4LFDF-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Diodes Incorporated DMT35M4LFDF-13

Диоды Инкорейтед DMT35M4LFDF-13

МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В U-DFN2020-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMT35M4LFDF-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7643
  • Артикул: ДМТ35М4ЛФДФ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,1493

Дополнительная цена:$0,1493

Подробности

Теги

Параметры
Базовый номер продукта ДМТ35М4ЛФ
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТ35М4ЛФДФ-13ТР
Стандартный пакет 10 000
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14,9 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1009 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 860 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования U-DFN2020-6 (тип F)
Пакет/ключи 6-УДФН Открытая площадка
N-канал 30 В 13 А (Tc) 860 мВт (Ta) для поверхностного монтажа U-DFN2020-6 (Тип F)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.