Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT32M4LPSW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DMT32M4LPSW-13

МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В POWERDI506

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMT32M4LPSW-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4393
  • Артикул: ДМТ32М4ЛПСВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4693

Дополнительная цена:$0,4693

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,7 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3944 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,3 Вт (Та), 83 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип UX)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ДМТ32
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТ32М4ЛПСВ-13ТР
Стандартный пакет 2500
N-канал 30 В, 100 А (Tc) 2,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность PowerDI5060-8 (тип UX)