Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT31M7LSS-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMT31M7LSS-13

МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В СО-8 T&R 2

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMT31M7LSS-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8712
  • Артикул: ДМТ31М7ЛСС-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4572

Дополнительная цена:$0,4572

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25А (Та), 78А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,7 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 84 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5492 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,7 Вт (Та), 5,9 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СО
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТ31М7ЛСС-13ТР
Стандартный пакет 2500
N-канал 30 В 25 А (Ta), 78 А (Tc) 1,7 Вт (Ta), 5,9 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SO