Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT12H060LFDF-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DMT12H060LFDF-13

МОП-транзистор BVDSS: 101–250 В U-DFN202

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMT12H060LFDF-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9075
  • Артикул: DMT12H060LFDF-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2048

Дополнительная цена:$0,2048

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 115 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,4 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 65 мОм при 3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7,8 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 475 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,1 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования U-DFN2020-6 (тип F)
Пакет/ключи 6-УДФН Открытая площадка
Базовый номер продукта ДМТ12
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТ12Х060ЛФДФ-13ТР
Стандартный пакет 10 000
N-канал 115 В 4,4 А (Ta) 1,1 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа U-DFN2020-6 (Тип F)