Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT12H060LCA9-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMT12H060LCA9-7

МОП-транзистор BVDSS: 101–250 В X4-DSN15

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMT12H060LCA9-7
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4248
  • Артикул: DMT12H060LCA9-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3532

Дополнительная цена:$0,3532

Подробности

Теги

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,1 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X2-DSN1515-9
Пакет/ключи 9-СМД, без свинца
Базовый номер продукта ДМТ12
Другие имена 31-DMT12H060LCA9-7
Стандартный пакет 3000
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 115 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3,5 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 85 мОм при 3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8 нк @ 5 В
ВГС (Макс) ±5,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 560 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Н-канальный 115 В 3,5 А (Ta) 1,1 Вт (Ta) для поверхностного монтажа X2-DSN1515-9