Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT10H032LFVW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Diodes Incorporated DMT10H032LFVW-13

Диоды Incorporated DMT10H032LFVW-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI33

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMT10H032LFVW-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9500
  • Артикул: DMT10H032LFVW-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,3632

Дополнительная цена:$0,3632

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 32 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,9 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,3 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ДМТ10
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMT10H032LFVW-13TR
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 100 В 17 А (Tc) 1,3 Вт (Ta) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.