Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT10H032LDV-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMT10H032LDV-7

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI33

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMT10H032LDV-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4940
  • Артикул: ДМТ10Х032ЛДВ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3567

Дополнительная цена:$0,3567

Подробности

Теги

Параметры
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,9 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683пФ при 50 В
Мощность - Макс. 1 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (тип UXC)
Базовый номер продукта ДМТ10
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТ10Х032ЛДВ-7ТР
Стандартный пакет 2000 г.
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 36 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Массив МОП-транзисторов 100 В, 18 А (Tc), 1 Вт (Ta), для поверхностного монтажа PowerDI3333-8 (тип UXC)