Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMT10H025LSS-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMT10H025LSS-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В СО-8 T&R

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMT10H025LSS-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1710 г.
  • Артикул: ДМТ10Х025LSS-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2569

Дополнительная цена:$0,2569

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,1А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 25 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22,9 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1639 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,3 Вт (Та), 12,9 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СО
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта ДМТ10
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТ10Х025ЛСС-13ТР
Стандартный пакет 2500
N-канал 100 В 7,1 А (Ta) 1,3 Вт (Ta), 12,9 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SO