Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMPH4011SK3Q-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Diodes Incorporated DMPH4011SK3Q-13

Диоды Инкорейтед DMPH4011SK3Q-13

МОП-транзистор BVDSS: 31–40 В, TO252 T&R

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMPH4011SK3Q-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6249
  • Артикул: ДМФ4011SK3Q-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,5660

Дополнительная цена:$0,5660

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования ТО-252, (Д-Пак)
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMPH4011SK3Q-13TR
Стандартный пакет 2500
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 79А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 11 мОм при 9,8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 104 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4497 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,7 Вт (Та), 115 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
П-канал 40 В 79 А (Tc) 3,7 Вт (Ta), 115 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа ТО-252, (D-Pak)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.