Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMPH33M8SPSW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMPH33M8SPSW-13

МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В PowerDI506

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMPH33M8SPSW-13
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7672
  • Артикул: ДМФ33М8СПСВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8078

Дополнительная цена:$0,8078

Подробности

Теги

Параметры
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,8 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 127 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3775 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,7 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип Q)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ДМФ33
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМПХ33М8СПСВ-13
Стандартный пакет 2500
Производитель Диодс Инкорпорейтед
P-канал 30 В 100 А (Tc) 1,7 Вт (Ta) для поверхностного монтажа PowerDI5060-8 (тип Q)