Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMP26M1UPSW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMP26M1UPSW-13

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В PowerDI5060

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMP26M1UPSW-13
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5786
  • Артикул: ДМП26М1УПСВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3271

Дополнительная цена:$0,3271

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 83А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6 мОм при 15 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 164 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5392 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,9 Вт (Та), 2,6 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип UX)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ДМП26
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМП26М1УПСВ-13
Стандартный пакет 2500
P-канал 20 В, 83 А (Tc) 1,9 Вт (Ta), 2,6 Вт (Tc) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность PowerDI5060-8 (тип UX)