Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMP26M1UFG-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед ДМП26М1УФГ-7

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В POWERDI3333

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед ДМП26М1УФГ-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Технический паспорт: PDF
  • Запас: 3481
  • Артикул: ДМП26М1УФГ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8400

Дополнительная цена:$0,8400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 71А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5,5 мОм при 15 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 164 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5392 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,67 Вт (Та), 3 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПИТАНИЕ3333-8
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ДМП26
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
P-канал 20 В 71 А (Tc) 1,67 Вт (Ta), 3 Вт (Tc) для поверхностного монтажа POWERDI3333-8