Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMP21D0UFB-7B - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMP21D0UFB-7B

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X1-DFN1006-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMP21D0UFB-7B
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 20
  • Артикул: ДМП21Д0УФБ-7Б
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3800

Дополнительная цена:$0,3800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 770 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 495 мОм при 400 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,5 НК @ 8 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 76,5 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 430 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X1-DFN1006-3
Пакет/ключи 3-УФДФН
Базовый номер продукта ДМП21
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 10 000
P-канал 20 В 770 мА (Ta) 430 мВт (Ta) для поверхностного монтажа X1-DFN1006-3