Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMP2008USS-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMP2008USS-13

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В SO-8 T&R 2.

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMP2008USS-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9305
  • Артикул: ДМП2008УСС-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3093

Дополнительная цена:$0,3093

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13А (Та), 38А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9 мОм при 12 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 159 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6820 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,4 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СО
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта ДМП2008
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМП2008УСС-13ТР
Стандартный пакет 3000
П-канал 20 В 13 А (Ta), 38 А (Tc) 1,4 Вт (Ta) для поверхностного монтажа 8-СО