Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN65D8LV-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN65D8LV-7

МОП-транзистор BVDSS: 41–60 В SOT563 T&R

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN65D8LV-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3401
  • Артикул: ДМН65Д8ЛВ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0620

Дополнительная цена:$0,0620

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 310 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 5В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3 Ом при 115 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,87 нКл при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 22 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 370 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Базовый номер продукта ДМН65
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-ДМН65Д8ЛВ-7ТР
Стандартный пакет 3000
N-канал 60 В 310 мА (Ta) 370 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа SOT-23-3