Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN62D4LFB-7B - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN62D4LFB-7B

МОП-транзистор BVDSS: 41–60 В X2-DFN1006

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN62D4LFB-7B
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5403
  • Артикул: ДМН62Д4ЛФБ-7Б
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0439

Дополнительная цена:$0,0439

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 407 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 5В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2 Ом при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,1 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 40 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 500мВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X1-DFN1006-3
Пакет/ключи 3-УФДФН
Базовый номер продукта ДМН62
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМН62Д4ЛФБ-7БТР
Стандартный пакет 10 000
N-канальный, 60 В, 407 мА (Ta), 500 мВт, для поверхностного монтажа X1-DFN1006-3