Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN62D4LDW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN62D4LDW-13

2N7002 СЕМЕЙСТВО SOT363 T&R 10K

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN62D4LDW-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3336
  • Артикул: ДМН62Д4ЛДВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0444

Дополнительная цена:$0,0444

Подробности

Теги

Параметры
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,04 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 41пФ при 30В
Мощность - Макс. 330 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования СОТ-363
Базовый номер продукта ДМН62
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-ДМН62Д4ЛДВ-13ТР
Стандартный пакет 10 000
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 261 мА (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3 Ом при 200 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Массив МОП-транзисторов 60 В, 261 мА (Ta), 330 мВт (Ta), для поверхностного монтажа SOT-363