Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN6069SFVWQ-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DMN6069SFVWQ-7

МОП-транзистор BVDSS: 41–60 В POWERDI333

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMN6069SFVWQ-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1579 г.
  • Артикул: DMN6069SFVWQ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1790

Дополнительная цена:$0,1790

Подробности

Теги

Параметры
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4А (Та), 14А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 69 мОм при 3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 740 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,5 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ДМН6069
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMN6069SFVWQ-7TR
Стандартный пакет 2000 г.
Производитель Диодс Инкорпорейтед
N-канал 60 В 4А (Ta), 14А (Tc) 2,5 Вт (Ta) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX