Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN33D8LDWQ-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN33D8LDWQ-13

МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В SOT363 T&R

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN33D8LDWQ-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7746
  • Артикул: DMN33D8LDWQ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0670

Дополнительная цена:$0,0670

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 250 мА (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,4 Ом при 250 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В при 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,23 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 48пФ при 5В
Мощность - Макс. 350 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования СОТ-363
Базовый номер продукта ДМН33
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-DMN33D8LDWQ-13TR
Стандартный пакет 10 000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 250 мА (Ta), 350 мВт (Ta), для поверхностного монтажа SOT-363