Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN2451UFB4Q-7R - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN2451UFB4Q-7R

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X2-DFN1006-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN2451UFB4Q-7R
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3453
  • Артикул: DMN2451UFB4Q-7R
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0460

Дополнительная цена:$0,0460

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,3 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 400 мОм при 600 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,4 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 32 пФ при 16 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 660 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X2-DFN1006-3
Пакет/ключи 3-XFDFN
Базовый номер продукта ДМН2451
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMN2451UFB4Q-7RTR
Стандартный пакет 3000
Н-канал 20 В 1,3 А (Ta) 660 мВт (Ta) для поверхностного монтажа X2-DFN1006-3