Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN2310UFB4-7B - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN2310UFB4-7B

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X2-DFN1006-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN2310UFB4-7B
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1669 г.
  • Артикул: ДМН2310УФБ4-7Б
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0425

Дополнительная цена:$0,0425

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,1А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 175 мОм при 1 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 950 мВ при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,7 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 38 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 710 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X2-DFN1006-3
Пакет/ключи 3-XFDFN
Базовый номер продукта ДМН2310
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМН2310УФБ4-7БТР
Стандартный пакет 10 000
Н-канальный 20 В 2,1 А (Ta) 710 мВт (Ta) для поверхностного монтажа X2-DFN1006-3