Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN2014LHAB-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN2014LHAB-13

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В U-DFN2030-6

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN2014LHAB-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6444
  • Артикул: DMN2014LHAB-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1592

Дополнительная цена:$0,1592

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13 мОм при 4 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1550пФ при 10В
Мощность - Макс. 800 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-УФДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования U-DFN2030-6 (Тип Б)
Базовый номер продукта ДМН2014
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMN2014LHAB-13TR
Стандартный пакет 10 000
Массив МОП-транзисторов 20 В, 9 А (Ta), 800 мВт (Ta), для поверхностного монтажа U-DFN2030-6 (Тип Б)