Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN2009UFDF-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN2009UFDF-13

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В U-DFN2020-6

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN2009UFDF-13
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9349
  • Артикул: ДМН2009УФДФ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1273

Дополнительная цена:$0,1273

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12,8 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9 мОм при 8,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27,9 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1083 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,3 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования U-DFN2020-6 (тип F)
Пакет/ключи 6-УДФН Открытая площадка
Базовый номер продукта ДМН2009
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМН2009УФДФ-13
Стандартный пакет 10 000
N-канал 20 В 12,8 А (Ta) 1,3 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа U-DFN2020-6 (Тип F)