Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN10H6D2LFDB-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN10H6D2LFDB-7

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В U-DFN2020

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN10H6D2LFDB-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9403
  • Артикул: ДМН10Х6Д2ЛФДБ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0869

Дополнительная цена:$0,0869

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 270 мА (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6 Ом при 190 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,2 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 41пФ при 50В
Мощность - Макс. 700 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-УДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования U-DFN2020-6 (Тип Б)
Базовый номер продукта 10 марок
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМН10Х6Д2ЛФДБ-7ТР
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 100 В, 270 мА (Ta) 700 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа U-DFN2020-6 (Тип B)