Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN10H220LPDW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN10H220LPDW-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В POWERDI50

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN10H220LPDW-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1522
  • Артикул: ДМН10Х220ЛПДВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2165

Дополнительная цена:$0,2165

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 222 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,7 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 384пФ при 25В
Мощность - Макс. 2,2 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип R)
Базовый номер продукта 10 марок
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМН10Х220ЛПДВ-13ТР
Стандартный пакет 2500
Массив МОП-транзисторов 100 В, 8 А (Tc), 2,2 Вт (Ta), для поверхностного монтажа, смачиваемая задняя часть PowerDI5060-8 (Тип R)