Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN1008UFDFQ-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Diodes Incorporated DMN1008UFDFQ-13

Диоды Инкорпорейтед DMN1008UFDFQ-13

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В U-DFN2020-6

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN1008UFDFQ-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2007 год
  • Артикул: DMN1008UFDFQ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,1075

Дополнительная цена:$0,1075

Подробности

Теги

Параметры
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12,2 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8 мОм при 5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23,4 НК при 8 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 995 пФ при 6 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700мВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования U-DFN2020-6 (тип F)
Пакет/ключи 6-УДФН Открытая площадка
Базовый номер продукта ДМН1008
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMN1008UFDFQ-13TR
Стандартный пакет 10 000
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Н-канальный, 12 В, 12,2 А (Ta), 700 мВт, для поверхностного монтажа U-DFN2020-6 (Тип F)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.